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產(chǎn)品
Q1
晶體無信號輸出
<A1
1-1.請使用示波器或頻率計測量晶振兩端輸出的信號。如果沒有信號輸出，請依照步驟1-1至步驟1-4執(zhí)行檢查。若晶振輸出端（Xout）有信號輸出，但輸入端（Xin）無信號輸出，請依照步驟1-5至步驟1-6檢查晶振。
1-2.請卸下晶振并使用專業(yè)測試機測試其頻率和負載電容，看看它們是否振動并符合您的規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給您的供應商，讓他們?yōu)槟M行測試。
1-3.如果出現(xiàn)以下情況，晶振不振動，負載電容與您的規(guī)格不符，或者當前頻率與您的目標頻率差距較大，請將晶振寄給您的供應商進行質(zhì)量分析。如果頻率和負載電容符合您的規(guī)格，我們將需要進行等效電路測試。
1-4.等效電路測試
1-4-1.一般來說，微處理器的振蕩電路源自于科爾皮茲電路，如下所示：圖片1 Cd和Cg是外部負載電容，已內(nèi)置在晶片組中。（請參閱晶片組規(guī)格）Rf為回授電阻，200KΩ~1MΩ。它通常是內(nèi)置在晶片組中。Rd為限流電阻，阻值為470Ω~1KΩ。一般電路不需要這個電阻，只有高功率電路才需要這個電阻。
1-4-2.一個穩(wěn)定的振蕩電路需要負電阻，其阻值至少應為晶振電阻的5倍。可以寫成|-R| > 5盧比。例如，要獲得穩(wěn)定的振蕩電路，當晶振電阻為40Ω時，IC的負阻值必須在–200Ω以下。
1-4-3.「負阻」是評價振蕩電路好壞的標準。在某些情況下，如老化、熱變化、電壓變化等，如果“Q”值較低，電路可能不會振蕩。因此，請按照以下說明測量負電阻（-R）非常重要：
將電阻（R）與晶體串聯(lián)從振蕩起始點到終止點調(diào)節(jié)R的值。測量振蕩期間的R值。您將能夠獲得負電阻值|–R| = R + Rr，Rr =晶體電阻。附：連接電路的雜散電容可能會影響測量值。
1-4-4.如果晶振參數(shù)正常，但在振蕩電路中工作不穩(wěn)定，則需要檢查IC的阻值是否太低，無法驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們可以透過三種方法來改善這種情況：降低外部電容（Cd和Cg）的值，并采用負載電容（CL）較低的其他晶體。采用電阻（Rr）較低的晶體。測量振蕩期間的R值。采用Cd和Cg不等值的設計。我們可以增加Cd（Xout）的負載電容，減少Cg（Xin）的負載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。
1-5.當Xout有信號輸出而Xin沒有信號輸出時，代表后電極后端電路的功耗極大。我們可以在電路的輸出與其后電極之間添加一個緩沖器來驅(qū)動后端電路。
1-6.除了上述1-1 ~ 1-5的方法外，您還可以按照步驟1-4-4中的三種方法進行操作。如果無法解決您的問題，請聯(lián)絡晶體或IC制造商的現(xiàn)場應用工程師以獲得進一步的協(xié)助。
Q2
由于晶體沒有足夠的輸出波形幅度，系統(tǒng)無法運作
<A2
2-1.請使用示波器或頻率計數(shù)器測量晶振兩端的信號，如果頻率不在規(guī)格范圍內(nèi)且輸出波形幅度不夠（例如超過+/- 200ppm），請依照步驟2-3至步驟2-5處理。
2-2.電容與頻率的關系公式如下:
FL = FR *（1 + C1 / 2 *（C0 + CL））其中此曲線表示電容變化隨頻率變化的變化（頻率可驅(qū)動性）：
如果頻率計數(shù)器測得的頻率高于目標頻率，則應增加電容值（CL，或Cd&Cg）以將頻率降低至目標頻率，反之亦然。請檢查調(diào)整頻率后波形幅度是否有改善。如果有所改善，則表示電路的原始設計沒有調(diào)諧到晶體的最佳諧振點。調(diào)整諧振點后，晶體應能正常運作。
2-3.如果頻率非常接近目標頻率但波形幅度沒有改善，我們可以透過以下三種方法來改善：
方法1：降低外部電容（Cd、Cg）值，采用負載電容（CL）較低的晶振。
方法2：采用電阻（Rr）較低的晶振。
方法3：采用Cd、Cg不等值設計。我們可以增加Cd（Xout）的負載電容，減少Cg（Xin）的負載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。建議您采用以上方法，既節(jié)省成本又確保安全
2-4.請使用頻率計數(shù)器測量晶振，以確保波形振幅改善后調(diào)整后的頻率仍符合原始規(guī)格。如果頻率不符合規(guī)格，請根據(jù)您的目標頻率采用合適CL值的晶振。
2-5.如果頻率遠高于目標頻率，請采用較低CL的晶體，反之亦然。
Q3
頻率輸出偏差超過限制，系統(tǒng)無法運作
<A3
3-1.針對頻率輸出偏差超限的問題，可以透過以下方法來改善：
方法1:調(diào)整外部電容Cd和Cg的值。如果頻率計數(shù)器測量的頻率高于目標頻率，我們應該增加外部電容CL（或Cd和Cg的值），以將頻率降低到我們的目標頻率，反之亦然。
方法2:采用不同電容（CL）值的晶體。如果頻率遠高于目標頻率，則采用電容較小的晶體，反之亦然。
3-2.請在采用正確的電容并將頻率調(diào)整到目標值后，使用示波器檢查波形振幅是否正常。當外接電容導致波形幅度縮小的情況下，請采用方法2調(diào)整頻率（減少外接電容，采用電容值較小的晶振）。
Q4
頻率輸出僅為目標頻率的三分之一
<A4
4-1.下面的曲線代表了晶體的電阻特性：
晶體有多種振動模式，如基波、三階泛音、五階泛音…等。當采用基波模式時，晶體的電阻最低，這意味著晶體最容易振蕩。當采用第三音模式時，必須利用放大電路將基模的頻率回授降低到小于第三音模式的程度。因此，如果頻率僅為目標頻率的三分之一，則應檢查是否使用了放大電路或其設定值是否足夠，因為電路環(huán)境適合基頻模式而不是第三音模式。
4-2.如果不使用放大電路或放大電路設定值不夠，電路可能不會振蕩。
4-3.基本模式與第三音模式的應用如下：
a.基本模式的應用
b.第三音模式的應用
4-4.下表為Third-Tone模式下不同頻率下L、C的匹配值：
Q5
頻率輸出是目標頻率的三倍
<A5
5-1.這個問題出現(xiàn)的機率比較小。請判斷三音模態(tài)的頻率回授是否因放大電路的原因而大于基模模態(tài)的回授。當放大電路內(nèi)置于晶片組時，可能會出現(xiàn)此問題。為了解決這個問題，請采用第三音模式晶振。
5-2.此外，三音模式放大電路設計不當，也可能導致電路以五音模式振蕩或不振蕩。
Q6
輸出波形幅度過大導致系統(tǒng)故障
<A6
6-1.請參考問題2的解決方法，請增加Xin端子電容，然后檢查波形幅度是否有改善。
Q7
晶體無信號輸出
<A7
7-1.請使用頻譜分析儀識別中斷信號的頻率。我們可以根據(jù)出現(xiàn)的頻率來找出問題所在。
7-2.如果是電源交流信號，請檢查電源接地和信號接地是否懸空。如果不是請改為浮動。
7-3.若信號頻率較高，請采用以下方法：使用水晶外殼作為接地。采用C0較小的晶體。增加電路外部電容Cd和Cg，并采用負載電容CL更高的晶振。
7-4.如果上述方法無法解決您的問題，請檢查周邊電路和PCB布局。如果兩者都正常，請要求IC制造商調(diào)查其晶片組設計對未知信號的反應。改變周邊電路的設計只能緩解問題，而無法完全解決問題。通常。找出晶片組設計的問題并解決它是最好的。
Q8
電路的電磁干擾過高
<A8
此問題的解決方法與問題7相同，請參閱步驟7-1至步驟7-4。
Q9
晶體安裝在PCB上時不振動
<A9
9-1.請使用示波器或頻率計測量晶體兩端的信號。請依照步驟9-1至9-4進行測試。當Xin有信號輸出但波形幅度較小時，請依步驟2-1~2-5進行測試。
9-2.請卸下晶振并使用專業(yè)測試機測試其頻率和負載電容，看看它們是否振動并符合您的規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給您的供應商，讓他們?yōu)槟M行測試。
9-3.如果出現(xiàn)以下任何一種情況，例如晶振不振動、負載電容與您的規(guī)格不符、或當前頻率與您的目標頻率差距過大，請將晶振寄給您的供應商進行質(zhì)量分析。
9-4.如果頻率和負載電容滿足您的規(guī)格并且晶體通過DLD測試，我們將需要進行等效電路測試。請參考步驟1-4~1-6。
9-5.如果晶體未通過DLD測試，請將其發(fā)送給您的供應商進行質(zhì)量分析以進一步改進。
Q10
在PCB上進行溫度測試時，晶體不工作或頻率偏移
<A10
10-1.拆下晶體并使用熱測試機測試其頻率和電阻，看看是否有振蕩并符合規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給晶振供應商進行測試。（熱測試點間隔至少10℃/1個測試點）
10-2.如果晶振在工作溫度下的電阻和頻率超出規(guī)格，請將晶振送至制造商進行質(zhì)量分析并進一步改進。
10-3.在晶振通過熱測試的情況下，請檢查振蕩電路和其他元件的特性（如外部電容的溫度特性、芯片電路的溫度特性等。）。
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